Gegenüber DIN EN 60512-23-3:2001-11 und DIN EN 60512-23-3 Berichtigung 1:2012-06 wurden folgende Änderungen vorgenommen:
a) es wurde eine Einleitung hinzugefügt, um Anwendern angesichts des parallelen Prüfverfahrens 23g innerhalb der gleichen Familie von Prüfverfahren Orientierung bei der Anwendung dieses Dokuments zu geben;
b) der Frequenzbereich, für den dieses Prüfverfahren als zuverlässig gilt, wurde von 1 GHz auf 3 GHz verlagert, um den Angaben in Bild 7 (unverändert) zu entsprechen und der aktuellen industriellen Praxis und Bedarfslage gerecht zu werden;
c) normative Verweisung auf IEC 62153-4-6:2017 anstelle der bisherigen normativen Verweisung auf IEC 60096-4-1:1990;
d) Aktualisierung der Unterabschnittsnummern von IEC 62153-4-6:2017, welche noch die vorherigen Unterabschnittsnummern aus IEC 61196-1:1995 waren (fälschlicherweise IEC 60096-4-1:1990 zugeordnet). Zum einfacheren Verständnis wurden die Titel dieser Unterabschnitte hinzugefügt;
e) Anpassung des Titels an den derzeitigen Arbeitsbereich von SC 48B (Steckverbinder) und Einbeziehung von elektrischen Anlagen als Zielanwendung der besagten Steckverbinder (entsprechend dem derzeitigen Arbeitsbereich von TC 48) sowie ausdrückliche Bezugnahme auf das Paralleldrahtverfahren zur Messung der Transferimpedanz;
f) Symbol SE für die Schirmwirkung und Symbol ZT für die Oberflächen-Transferimpedanz im gesamten Dokument hinzugefügt;
g) Verschiebung der Liste der Steckverbinder, für die das Prüfverfahren anwendbar ist, aus 3.1 in den Anwendungsbereich;
h) Änderung des früheren Namens der Organisation AECMA in den derzeitigen Namen ASD-STAN;
i) Verwendung der Benennung "Prüfling" anstelle der Benennung "Prüfmuster" im gesamten Dokument;
j) Verdeutlichung der in Tabelle 3 beschriebenen Transferimpedanz im Titel und redaktionelle Verbesserung der Tabelle;
k) Änderung der Benennung "Dielektrizitätskonstante" in die aktualisierte Benennung "relative Permittivität";
l) Hinzufügung eines Warnhinweises über den Umstand, dass für dieses Prüfverfahren in 6.6 ein Reflektometer mit einer kürzeren Anstiegszeit von unter 100 ps erforderlich ist, die unter dem in IEC 62153-4-6 und EN 50289-1-6 festgelegten Wert von 350 ps für das ähnliche Paralleldrahtverfahren bei geschirmten Kabeln liegt, während für Prüfverfahren 23g aus IEC 60512-23-7 für den gleichen Zweck eine Anstiegszeit von unter 200 ps festgelegt ist;
m) Verwendung der Benennung "Steckverbindergehäuse" [IEV 581-27-10] anstelle der Benennung "Mantel" zur Berücksichtigung der Steckverbindervorrichtung, die als Abschirmung dient;
n) Hinzufügung des Titels "Transferimpedanz ZT [Ω]" zur linken Ordinatenachse des doppellogarithmischen Diagramms in Bild 7;
o) Hinzufügung einer erläuternden Anmerkung zum besseren Verständnis der Gleichung zur Berechnung von SE anhand von ZT.